对比图
型号 PHD36N03LT PHD36N03LT,118 CSD17308Q3
描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETDPAK N-CH 30V 43.4A30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 8
封装 TO-252-3 TO-252-3 VSON-Clip-8
通道数 - - 1
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.0094 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 - 57.6 W 2.7 W
阈值电压 - - 1.3 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 43.4A 43.4A 50A
上升时间 - 10 ns 5.7 ns
输入电容(Ciss) 690pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 700pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 57.6 W 57.6 W 2.7 W
下降时间 - 19 ns 2.3 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 57.6W (Tc) 2.7W (Ta)
长度 - - 3.4 mm
宽度 - - 3.4 mm
高度 - - 1.1 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 VSON-Clip-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC