NST847BF3T5G和SBC847BWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NST847BF3T5G SBC847BWT1G BC850B

描述 NPN通用晶体管 NPN General Purpose Transistor晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45V 100mA 100MHz 150mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-1123 SOT-70 SOT-23

频率 - - 300 MHz

耗散功率 0.347 W 150 mW 0.25 W

增益频宽积 - - 100 MHz

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 347 mW 150 mW 250 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 290 mW 150 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V - -

封装 SOT-1123 SOT-70 SOT-23

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 8000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -

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