FGH80N60FD2TU和STGW39NC60VD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FGH80N60FD2TU STGW39NC60VD STGW40NC60V

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH80N60FD2TU  单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 600 V, 290 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚STMICROELECTRONICS  STGW39NC60VD  单晶体管, IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚N沟道50A - 600V TO- 247超高速IGBT PowerMESH⑩ N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 Hyper Fast PowerMESH⑩ IGBT

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 40.0 A 50.0 A

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 290 W 250 W 260 W

上升时间 - 13 ns 17.0 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 290 W 250 W 260 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 290 W 250 W 260000 mW

额定功率 - 250 W -

针脚数 3 3 -

栅电荷 - 126 nC -

漏源极电压(Vds) - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 40.0 A -

反向恢复时间 61 ns 45 ns -

长度 15.6 mm 15.75 mm 15.75 mm

宽度 4.7 mm 5.15 mm 5.15 mm

高度 20.6 mm 20.15 mm 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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