IPD220N06L3G和IPD230N06LG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD220N06L3G IPD230N06LG AON7444

描述 60V,30A,N沟道功率MOSFETOptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorDFN N-CH 60V 33A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252 TO-252 DFN-8

引脚数 - - 8

漏源极电压(Vds) 60 V 60.0 V 60 V

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 30.0 A -

输入电容 - 1.50 nF -

栅电荷 - 42.0 nC -

连续漏极电流(Ids) - 30.0 A 33A

额定功率 - - 17 W

极性 - - N-CH

耗散功率 - - 42 W

输入电容(Ciss) - - 2000pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - - 42 W

耗散功率(Max) - - 3.1W (Ta), 42W (Tc)

封装 TO-252 TO-252 DFN-8

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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