IGW20N60H3FKSA1和IRG4PC50UDPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IGW20N60H3FKSA1 IRG4PC50UDPBF STGW20NB60KD

描述 Infineon IGW20N60H3FKSA1 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装INFINEON  IRG4PC50UDPBF  单晶体管, IGBT, 55 A, 2 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚N沟道20A - 600V - TO- 247防短路PowerMESH⑩ IGBT N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH? IGBT

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 - 200 W -

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel -

耗散功率 170000 mW 200 W 170 W

输入电容 - 4000 pF -

上升时间 - 25.0 ns 25.0 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

热阻 - 40 ℃/W -

反向恢复时间 - 50 ns 80.5 ns

额定功率(Max) 170 W 200 W 170 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 170 W 200000 mW -

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 20.0 A

长度 16.13 mm 15.87 mm -

宽度 5.21 mm 5.31 mm -

高度 21.1 mm 20.7 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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