CY7C15632KV18-500BZC和CY7C15632KV18-500BZXC

对比图

型号 CY7C15632KV18-500BZC CY7C15632KV18-500BZXC CY7C15632KV18-500BZXI

描述 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

存取时间 0.45 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

位数 - - 18

存取时间(Max) - - 0.45 ns

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

长度 - 15 mm -

宽度 - 13 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead PB free PB free

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a