IRFP250N和IRFP250PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP250N IRFP250PBF MTW32N20E

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin (3+Tab) TO-247AC功率MOSFET Power MOSFET200V,32A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 N沟道MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 30.0 A 30.0 A 32.0 A

漏源极电阻 75.0 mΩ 0.085 Ω 0.075 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 214 W 190 W 180 W

输入电容 - - 3600pF @25V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200V (min) 200 V 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 32.0 A

上升时间 43 ns 86 ns 120 ns

输入电容(Ciss) - 2800pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)

下降时间 33 ns 62 ns 91 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 214000 mW 190 W 180W (Tc)

产品系列 IRFP250N - -

额定功率 - 190 W -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

额定功率(Max) - 190 W -

长度 - 15.87 mm 16.26 mm

宽度 - 5.31 mm 5.3 mm

高度 - 20.7 mm 21.08 mm

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Tube Bulk

最小包装 - 500 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99

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