对比图
型号 PD55008L-E PD55008TR-E PD55008-E
描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsMOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 14 3 3
封装 PowerVDFN-8 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz
额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V
额定电流 5 A - 4 A
耗散功率 19.5 W 52.8 W 52.8 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 1.00 µA - 4.00 A
输出功率 8 W 8 W 8 W
增益 19 dB 17 dB 17 dB
测试电流 150 mA 150 mA 150 mA
输入电容(Ciss) 53pF @12.5V(Vds) 58pF @12.5V(Vds) 58pF @12.5V(Vds)
输出功率(Max) 8 W - -
工作温度(Max) 150 ℃ 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 19500 mW 52800 mW 52800 mW
额定电压 40 V 40 V 40 V
输入电容 - 58 pF -
针脚数 - - 3
极性 - - N-Channel
漏源击穿电压 - - 40.0 V
长度 5 mm 9.5 mm 9.5 mm
宽度 5 mm 9.4 mm 9.4 mm
高度 0.88 mm 3.5 mm 3.5 mm
封装 PowerVDFN-8 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR