6668和IRF6668TRPBF

对比图

型号 6668 IRF6668TRPBF IRF6668PBF

描述 Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 80V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3INFINEON  IRF6668TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V 新Direct-FET N-CH 80V 55A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 7 -

封装 - Direct-FET Direct-FET

额定功率 - 89 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 7 -

漏源极电阻 - 0.012 Ω -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 - 89 W -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 1320 pF -

漏源极电压(Vds) - 80 V 80 V

连续漏极电流(Ids) - 55A 55A

上升时间 - 13 ns -

输入电容(Ciss) - 1320pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.8 W -

下降时间 - 23 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -

长度 - 6.35 mm -

宽度 - 5.05 mm -

封装 - Direct-FET Direct-FET

材质 - Silicon -

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -