对比图
型号 APT5025BN STW20NM50FD IXTH24N50
描述 TO-247 N-CH 500V 23ASTMICROELECTRONICS STW20NM50FD 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTH24N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
极性 N-CH N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 23A 20.0 A 24.0 A
上升时间 27 ns 20 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 2380pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds) 4200pF @25V(Vds)
下降时间 36 ns 15 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 310000 mW 214W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) - 500 V 500 V
额定电流 - 20.0 A 24.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.25 Ω 0.23 Ω
耗散功率 - 214 W 300 W
阈值电压 - 4 V 4 V
额定功率(Max) - 214 W 300 W
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm -
宽度 - 5.15 mm -
高度 - 20.15 mm -
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 - Tube Bulk, Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
材质 - - Silicon
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
香港进出口证 - NLR -