PBSS4120T和PBSS4120T,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS4120T PBSS4120T,215

描述 NXP  PBSS4120T  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 300 mW, 1 A, 470 hFENPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3

频率 - 100 MHz

针脚数 3 3

极性 NPN NPN

耗散功率 300 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V

集电极最大允许电流 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) - 300 @500mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - 350 @100mA, 2V

额定功率(Max) - 480 mW

直流电流增益(hFE) 470 280

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 0.48 W

额定功率 - -

长度 - 3 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

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