对比图
型号 IPI075N15N3GHKSA1 IPI075N15N3GXKSA1
描述 TO-262 N-CH 150V 100A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 300W (Tc) 300 W
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 100A 100A
输入电容(Ciss) 5470pF @75V(Vds) 5470pF @75V(Vds)
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
额定功率 - 300 W
漏源击穿电压 - 150 V
上升时间 - 35 ns
下降时间 - 14 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
长度 10.2 mm 10.2 mm
宽度 4.5 mm 4.5 mm
高度 9.45 mm 9.45 mm
封装 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free