对比图
型号 AUIRF2804S-7P IRF2804STRL7PP AUIRF2804STRL7P
描述 INFINEON AUIRF2804S-7P 晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 40 V, 1.5 mohm, 10 V, 2 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 40V 320A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 7 7
封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7
额定功率 330 W 330 W -
通道数 1 - 1
针脚数 7 7 -
漏源极电阻 0.0015 Ω 0.0012 Ω -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 330 W 330 W 330W (Tc)
阈值电压 2 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 40 V - -
连续漏极电流(Ids) 320A 280A 320A
上升时间 150 ns 120 ns 150 ns
输入电容(Ciss) 6930pF @25V(Vds) 6930pF @25V(Vds) 6930pF @25V(Vds)
下降时间 100 ns 130 ns 100 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 330W (Tc) 330W (Tc) 330W (Tc)
输入电容 - 6930 pF -
额定功率(Max) - 330 W -
长度 10.67 mm 10.5 mm -
宽度 11.33 mm 10.05 mm 9.25 mm
高度 4.83 mm 4.55 mm -
封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2018/06/27 - -
ECCN代码 EAR99 - -