对比图
型号 IRF6674TR1PBF IRF6674TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 60V 13.4AINFINEON IRF6674TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V 新
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 7
封装 Direct-FET Direct-FET
额定功率 89 W 89 W
通道数 1 1
漏源极电阻 9 mΩ 0.009 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 89 W 89 W
阈值电压 4.9 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 13.4A 13.4A
上升时间 12 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
下降时间 8.7 ns 8.7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃
耗散功率(Max) 3.6W (Ta), 89W (Tc) 3.6W (Ta), 89W (Tc)
针脚数 - 7
长度 6.35 mm 6.35 mm
宽度 5.05 mm 5.05 mm
高度 0.7 mm 0.7 mm
封装 Direct-FET Direct-FET
材质 Silicon Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17