BCW68GLT1和BCW68GLT1G

对比图

型号 BCW68GLT1 BCW68GLT1G

描述 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose Transistors(PNP Silicon)ON SEMICONDUCTOR  BCW68GLT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -800 mA, 60 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V

额定电流 -800 mA -800 mA

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A

频率 - 100 MHz

针脚数 - 3

耗散功率 - 225 mW

增益频宽积 - 100 MHz

最小电流放大倍数(hFE) - 120 @10mA, 1V

额定功率(Max) - 225 mW

直流电流增益(hFE) - 60

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

封装 SOT-23 SOT-23-3

长度 - 3.04 mm

宽度 - 2.64 mm

高度 - 1.01 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99