STGW30NC60W和STGW39NC60VD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STGW30NC60W STGW39NC60VD IXGH30N60BD1

描述 N沟道30A - 600V - TO- 247超快速开关的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Switching PowerMESH IGBTSTMICROELECTRONICS  STGW39NC60VD  单晶体管, IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin(3+Tab) TO-247AD

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 60.0 A 40.0 A 60.0 A

漏源极电阻 2.50 Ω - -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 200 W 250 W -

漏源击穿电压 600 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 40.0 A -

上升时间 12.0 ns 13 ns 30.0 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 200 W 250 W 200 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 250 W -

额定功率 - 250 W -

针脚数 - 3 -

栅电荷 - 126 nC -

漏源极电压(Vds) - 600 V -

反向恢复时间 - 45 ns 25 ns

长度 15.75 mm 15.75 mm 16.26 mm

宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.3 mm

高度 20.15 mm 20.15 mm 21.46 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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