对比图
型号 IRFH7914TRPBF SI7860DP-T1-E3 IRFH7914TR2PBF
描述 INFINEON IRFH7914TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.8 VVISHAY SI7860DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 3 VN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 QFN-8 SOIC-8 PowerVDFN-8
漏源极电阻 0.0075 Ω 8 mΩ 0.0075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 3.1 W 1.8 W 3.1 W
阈值电压 1.8 V 3 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 15A 18.0 A 15A
上升时间 11 ns - 11 ns
输入电容(Ciss) 1160pF @15V(Vds) - 1160pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W - 3.1 W
下降时间 4.6 ns - 4.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta) - 3.1W (Ta)
针脚数 8 8 -
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
额定功率 3.1 W - -
长度 6 mm 5.99 mm 6 mm
宽度 5 mm - 5 mm
高度 0.83 mm 1.07 mm 0.95 mm
封装 QFN-8 SOIC-8 PowerVDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -