IR2103SPBF和IR2103STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2103SPBF IR2103STRPBF IR2103S

描述 INFINEON  IR2103SPBF  双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3Driver 600V 0.36A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器负载控制器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 100ns, 50ns 100ns, 50ns 100ns, 50ns

输出接口数 2 2 2

针脚数 8 8 -

耗散功率 625 mW 625 mW -

静态电流 - 270 µA -

上升时间 - 170 ns -

下降时间 - 60 ns -

下降时间(Max) 90 ns 90 ns -

上升时间(Max) 170 ns 170 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW -

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V -

电源电压(Min) 10 V 10 V -

电源电压(DC) 10.0V (min) - 20.0V (max)

产品系列 - - IR2103

输出电压 620 V - -

输出电流 270 mA - -

通道数 2 - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台