CYDM064B16-55BVXC和CYDM064B16-55BVXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYDM064B16-55BVXC CYDM064B16-55BVXI

描述 1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8的MoBL双端口静态RAM 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8 MoBL㈢双口静态RAM 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL® Dual-Port Static RAM

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 100

封装 VFBGA VFBGA-100

电源电压(DC) - 3.00 V

供电电流 - 25 mA

存取时间 - 55 ns

存取时间(Max) - 55 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V

高度 - 0.66 mm

封装 VFBGA VFBGA-100

工作温度 - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台