STF21N65M5和STF8N65M5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STF21N65M5 STF8N65M5 STF12N50U

描述 STMICROELECTRONICS  STF21N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STF8N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 VTO-220FP N-CH 500V 10A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.15 Ω 0.56 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 30 W 25 W -

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 17A 7A 10A

输入电容(Ciss) 1950pF @100V(Vds) 690pF @100V(Vds) -

额定功率(Max) 30 W 25 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 30W (Tc) 25W (Tc) -

上升时间 - 14 ns -

下降时间 - 11 ns -

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 16.4 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Rail, Tube Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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