对比图
型号 MJB44H11 MJB44H11G NJVMJB44H11T4G
描述 互补功率晶体管D2PAK的表面贴装 Complementary Power Transistors D2PAK for Surface MountON SEMICONDUCTOR MJB44H11G. 功率晶体管, NPN, 80V, D2-PAKNPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
频率 - 50 MHz -
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -
额定电流 10.0 A 10.0 A -
针脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - 50 W 50 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 10A 10A 10A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V
额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W
直流电流增益(hFE) - 40 40
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW
增益频宽积 - - 50 MHz
工作结温 - - -55℃ ~ 150℃
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.29 mm
宽度 - - 11.05 mm
高度 - - 4.83 mm
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
最小包装 800 - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 - - NLR