对比图
型号 IRF7834 IRF7834PBF IRF7834TRPBF
描述 SOIC N-CH 30V 19AN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2.25 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
引脚数 - 8 8
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 19A 19A 19A
输入电容(Ciss) 3710pF @15V(Vds) 3710pF @15V(Vds) 3710pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 - 2.5 W 2.5 W
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.0036 Ω
阈值电压 - - 2.25 V
上升时间 - 14.3 ns 14.3 ns
额定功率(Max) - - 2.5 W
下降时间 - 5 ns 5 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 4.9 mm
宽度 - 4 mm 3.9 mm
高度 - 1.5 mm 1.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free