对比图
型号 IRFBC20PBF STP2N62K3 STP3NK60Z
描述 功率MOSFET Power MOSFETN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP3NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 2.40 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 4.4 Ω 3 Ω 3.6 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 50 W 45 W 45 W
阈值电压 4 V 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 600 V 620 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.20 A - 2.40 A
上升时间 - 4.4 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 340pF @50V(Vds) 311pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 50 W 45 W 45 W
下降时间 - 22 ns 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 50 W 45W (Tc) 45W (Tc)
长度 10.41 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.01 mm 15.75 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 50 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99