对比图
型号 FDS9958 FDS9958_F085 SI4948BEY-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9958 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.082 ohm, -10 V, -1.6 VPowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。双 P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 2 2 -
极性 Dual P-Channel P-CH P-Channel
耗散功率 2 W 2 W 1.4 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) -2.90 A 2.9A -2.40 A
上升时间 3 ns 3 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1020pF @30V(Vds) 1020pF @30V(Vds) -
额定功率(Max) 900 mW 900 mW -
下降时间 6 ns 6 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2 W 2 W 2.4 W
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.082 Ω - 0.1 Ω
阈值电压 - - 3 V
漏源击穿电压 60 V - -
长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm
宽度 3.9 mm 3.9 mm 4 mm
高度 1.575 mm 1.575 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -