对比图
型号 70T633S10BCI 70T633S12BCI 70T3339S200BCG
描述 SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 10ns 256Pin CABGA Tray静态随机存取存储器 512K X 18 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM静态随机存取存储器 512K X 18 DP
数据手册 ---
制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
引脚数 256 256 256
封装 LBGA-256 CABGA-256 CABGA-256
存取时间 - 12 ns 3.4 ns
工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃
电源电压 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V
长度 17.0 mm 17 mm 17 mm
宽度 17.0 mm 17 mm 17 mm
高度 - 1.4 mm 1.4 mm
封装 LBGA-256 CABGA-256 CABGA-256
厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube, Rail Tube, Rail Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free