对比图
型号 2N5415S JANTX2N5415S JAN2N5415
描述 PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTORPNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTORPNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-39-3 TO-205 TO-5
极性 - PNP -
耗散功率 750 mW 750 mW 0.75 W
击穿电压(集电极-发射极) - 200 V 200 V
集电极最大允许电流 - 1A -
最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V
额定功率(Max) - 750 mW 750 mW
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW
最大电流放大倍数(hFE) 120 @50mA, 10V - -
封装 TO-39-3 TO-205 TO-5
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bag Bag Bag
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99