对比图
型号 IXTP75N10P STP60NF10 HUF75645P3
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXTP75N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 VSTMICROELECTRONICS STP60NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75645P3 场效应管, MOSFET, N沟道, 75A, TO-220AB
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 80.0 A 75.0 A
通道数 - - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.025 Ω 19 mΩ 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 360 W 300 W 310 W
阈值电压 5.5 V 3 V 4 V
输入电容 - - 3.79 nF
栅电荷 - - 106 nC
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 40.0 A 75.0 A
上升时间 53 ns 56 ns 117 ns
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds) 3790pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 360 W 300 W 310 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360000 mW 300W (Tc) 310W (Tc)
下降时间 45 ns 23 ns -
长度 - 10.4 mm 10.67 mm
宽度 - 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.15 mm 15.75 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 EAR99