对比图
型号 PBSS8110D PBSS8110S PBSS8110D,115
描述 100 V ，1 A NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor100 V ，1 A NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorTSOP NPN 100V 1A
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 - - 6
封装 TSOP SPT TSOP-6
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - - 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 1A 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) - - 150 @250mA, 10V
额定功率(Max) - - 700 mW
直流电流增益(hFE) - - 150
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 65 ℃
耗散功率(Max) - - 700 mW
封装 TSOP SPT TSOP-6
工作温度 - - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17