PBSS8110D

PBSS8110D中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

PBSS8110D引脚图与封装图
PBSS8110D引脚图
PBSS8110D封装图
PBSS8110D封装焊盘图
在线购买PBSS8110D
型号: PBSS8110D
制造商: NXP 恩智浦
描述:100 V ,1 A NPN低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 100 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistor
替代型号PBSS8110D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS8110D

NXP 恩智浦

当前型号

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