对比图
型号 STN3P6F6 STN3PF06 ZXMP6A17GTA
描述 P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STN3PF06 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.5 A, -60 V, 200 mohm, 10 V, 4 VZXMP6A17GTA 编带
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 SOT-223-3 TO-261-4
额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V
额定电流 - -2.50 A -4.10 A
针脚数 4 4 4
漏源极电阻 0.13 Ω 200 mΩ 0.096 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.6 W 2.5 W 2 W
阈值电压 4 V 4 V 1 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 3A 2.50 A 4.10 A
上升时间 5.3 ns 40 ns 3.4 ns
输入电容(Ciss) 340pF @48V(Vds) 850pF @25V(Vds) 637pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 2.6 W 2.5 W 2 W
下降时间 3.7 ns 17 ns 11.3 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.6W (Tc) 2.5W (Tc) 2W (Ta)
通道数 1 1 -
漏源击穿电压 60 V 60 V -
封装 TO-261-4 SOT-223-3 TO-261-4
长度 6.7 mm 6.5 mm -
宽度 3.7 mm 3.5 mm -
高度 1.8 mm 1.8 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99