BD707和BDW53D-S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD707 BDW53D-S BD245C-S

描述 NPN功率晶体管 NPN POWER TRANSISTORSTO-220 NPN 120V 4ASOT-93 NPN 100V 10A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Bourns J.W. Miller (伯恩斯)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-218-3

频率 - - 3 MHz

额定功率 - - 80 W

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - - 80 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 120 V 100 V

集电极最大允许电流 12A 4A 10A

最小电流放大倍数(hFE) - 750 @1.5A, 3V 4 @10A, 4V

额定功率(Max) - 2 W 3 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 80000 mW

长度 - - 15.2 mm

宽度 - - 4.9 mm

高度 - - 12.2 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-218-3

材质 - - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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