对比图
型号 FQD17P06TM STD10P6F6 STD10PF06T4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD17P06TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V 新P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD10PF06T4 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V
额定电流 -12.0 A - -10.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.11 Ω 0.13 Ω 0.18 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 35 W 40 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 mA - 10.0 A
上升时间 100 ns 5.3 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 340pF @48V(Vds) 850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 35 W 40 W
下降时间 60 ns 3.7 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 35W (Tc) 40W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源击穿电压 - 60 V 60 V
输入电容 - 340 pF -
正向电压(Max) - 1.1 V -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 7.45 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.38 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - -