对比图
描述 DDR DRAM, 128MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-60
数据手册 --
制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)
分类 存储芯片存储芯片
引脚数 60 60
封装 TFBGA-60 TFBGA-60
位数 8 8
存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns
工作温度(Max) 95 ℃ 95 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
供电电流 - 110 mA
封装 TFBGA-60 TFBGA-60
工作温度 -40℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅
ECCN代码 - EAR99