IPD075N03LG和STD15NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD075N03LG STD15NF10T4

描述 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-TransistorSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-252 TO-252-3

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

漏源极电压(Vds) 30 V 100 V

输入电容(Ciss) 1900pF @15V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 47 W 70 W

额定电压(DC) - 100 V

额定电流 - 23.0 A

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.065 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 - 70 W

阈值电压 - 3 V

漏源击穿电压 - 100 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 23.0 A

上升时间 - 45 ns

下降时间 - 17 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 70W (Tc)

封装 TO-252 TO-252-3

长度 - 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm

高度 - 2.4 mm

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃

ECCN代码 - EAR99

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