IRG4PC50UD-EPBF和IXSH30N60CD1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4PC50UD-EPBF IXSH30N60CD1 IGW30N60TFKSA1

描述 INFINEON  IRG4PC50UD-EPBF  单晶体管, IGBT, 55 A, 2 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADINFINEON  IGW30N60TFKSA1  单晶体管, IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 55.0 A -

耗散功率 200 W 200000 mW 187 W

上升时间 25.0 ns 30.0 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 50 ns 50 ns -

额定功率(Max) 200 W 200 W 187 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 200 W 200000 mW 187000 mW

针脚数 3 - 3

极性 N-Channel - -

额定功率 - - 187 W

高度 20.7 mm 21.46 mm 21.1 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.87 mm - 16.13 mm

宽度 5.31 mm - 5.21 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Bulk Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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