IR2127和IR2127PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2127 IR2127PBF

描述 MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi Side Non-Inv 8Pin PDIPINFINEON  IR2127PBF  功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, DIP-8

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 电源管理FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 8 8

封装 PDIP-8 DIP-8

电源电压(DC) 20.0V (max) 10.0V (min)

上升/下降时间 80ns, 40ns 80ns, 40ns

输出接口数 1 1

耗散功率 1000 mW 1 W

产品系列 IR2127 -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW

电源电压 12V ~ 20V 12V ~ 20V

输出电压 - 12.20 V

输出电流 - 200 mA

通道数 - 1

针脚数 - 8

静态电流 - 120 µA

上升时间 - 130 ns

下降时间 - 65 ns

下降时间(Max) - 65 ns

上升时间(Max) - 130 ns

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压(Max) - 20 V

电源电压(Min) - 10 V

封装 PDIP-8 DIP-8

长度 - 10.92 mm

宽度 - 7.11 mm

高度 - 5.33 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Each

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台