IRG4PC50FDPBF和NGTB50N60FWG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4PC50FDPBF NGTB50N60FWG IGB20N60H3ATMA1

描述 INFINEON  IRG4PC50FDPBF  单晶体管, IGBT, 70 A, 1.79 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚ON SEMICONDUCTOR  NGTB50N60FWG  单晶体管, IGBT, 100 A, 1.45 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3 引脚单晶体管, IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3

针脚数 3 3 3

耗散功率 200 W 223 W 170 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 200 W 223 W 170 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 223 W 170000 mW

额定功率 200 W - -

极性 N-Channel - -

输入电容 4100 pF - -

上升时间 25.0 ns - -

热阻 0.64 ℃/W - -

反向恢复时间 50 ns 77 ns -

无卤素状态 - Halogen Free -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3

长度 15.9 mm 16.25 mm -

宽度 5.3 mm 5.3 mm -

高度 20.3 mm 21.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2017/01/12 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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