ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60FWG 单晶体管, IGBT, 100 A, 1.45 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
IGBT 分立,On Semiconductor
绝缘栅级双极性 IGBT,用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。
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NGTB50N60FWG
得捷:
IGBT 600V 100A 223W TO247
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ON Semiconductor NGTB50N60FWG N沟道 IGBT, Vce=600 V, 100 A, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
e络盟:
单晶体管, IGBT, 100 A, 1.45 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin TO-247 Tube
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NGTB50N16FWG 600 V 50 A IGBT 法兰安装 - TO-247
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
IGBT Single Transistor, 100 A, 1.45 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
耗散功率 223 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 77 ns
额定功率Max 223 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 223 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.25 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.4 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2017/01/12
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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NGTB50N60FWG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
IRG4PC50FDPBF 英飞凌 | 功能相似 | NGTB50N60FWG和IRG4PC50FDPBF的区别 |