对比图
型号 IRF7389TRPBF STS8C5H30L IRF7389PBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7389TRPBF 场效应管, MOSFETSTMICROELECTRONICS STS8C5H30L 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 VN/P 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N/P 通道配置。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电流 7.30 A 8.00 A -
通道数 2 2 -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.023 Ω 0.018 Ω 0.023 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 2.5 W 1.6 W 2.5 W
阈值电压 1 V 1.6 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) 7.30 A 8.00 A, 4.20 A 7.3A/5.3A
上升时间 - 35.0 ns -
输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 857pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2 W 2.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW 2.5 W
产品系列 IRF7389 - -
输入电容 710 pF - -
栅电荷 34.0 nC - -
额定功率 - - 2.5 W
热阻 - - 50℃/W (RθJA)
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm
高度 - 1.65 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -