IRFR5505TRPBF和IRFU5505

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR5505TRPBF IRFU5505 NTD20P06LT4G

描述 INFINEON  IRFR5505TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -55 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 VIPAK P-CH 55V 18AON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -15.0 A

通道数 - - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.11 Ω - 0.143 Ω

极性 P-CH P-CH P-Channel

耗散功率 57 W 57W (Tc) 65 W

阈值电压 4 V - 1.5 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 18A 18A 15.5 A

上升时间 28 ns - 90 ns

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds) 1190pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 57 W - 65 W

下降时间 16 ns - 70 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 57W (Tc) 57W (Tc) 65000 mW

额定功率 57 W - -

输入电容 650 pF - -

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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