对比图
型号 BSO200N03S NTMD4840NR2G FDS4410
描述 OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-TransistorN 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor单N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrenchTM MOSFET Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchTM MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 7.00 A - 10.0 A
漏源极电阻 0.02 Ω 0.016 Ω 9.80 mΩ
极性 N-Channel Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 1.56 W 1.14 W 2.5 W
阈值电压 1.6 V 3 V -
输入电容 840 pF 520 pF 1.34 nF
栅电荷 6.50 nC - 22.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 8.80 A 5.50 A 10.0 A
上升时间 2.6 ns 5 ns 13.0 ns
输入电容(Ciss) 840pF @15V(Vds) 520pF @15V(Vds) 1340pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.56 W 680 mW 1 W
下降时间 2.6 ns 3 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 1.95 W 2.5W (Ta)
针脚数 - 8 -
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 4.9 mm 5 mm -
宽度 3.9 mm 4 mm -
高度 1.75 mm 1.5 mm -
封装 PG-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -