对比图
型号 IRFR2405PBF IRFR2405TRPBF STD60NF06T4
描述 N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。IRFR2405TRPBF 编带N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 110 W 110 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.016 Ω 0.016 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 110 W 110 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 - 2430 pF -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 56A 56A 60.0 A
上升时间 130 ns 130 ns 108 ns
输入电容(Ciss) 2430pF @25V(Vds) 2430pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W 110 W
下降时间 78 ns 78 ns 20 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 6.73 mm 6.5 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.3 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99