BU323ZG和BU941ZPFI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU323ZG BU941ZPFI BU323Z

描述 ON SEMICONDUCTOR  BU323ZG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFESTMICROELECTRONICS  BU941ZPFI  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 65 W, 15 A, 300 hFEAUTOPROTECTED达林顿10安培360-450伏CLAMP 150瓦 AUTOPROTECTED DARLINGTON 10 AMPERES 360-450 VOLTS CLAMP 150 WATTS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-3 TO-218-3

额定电压(DC) 35.0 V 350 V 35.0 V

额定电流 10.0 A 15.0 A 10.0 A

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 150 W 65 W -

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V

集电极最大允许电流 10A 15A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 500 @5A, 4.6V 300 @5A, 10V 500 @5A, 4.6V

额定功率(Max) 150 W 65 W 150 W

直流电流增益(hFE) 500 300 -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 150000 mW 65000 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 3400 - 3400

长度 15.2 mm 15.7 mm -

宽度 4.9 mm 5.7 mm -

高度 16.2 mm 15.2 mm -

封装 TO-247-3 TO-3 TO-218-3

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 30

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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