JAN2N3867和JANTXV2N3867S

对比图

型号 JAN2N3867 JANTXV2N3867S 2N3867S

描述 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power TransistorsSmall Signal Bipolar Transistor,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-5 TO-205 -

引脚数 3 - -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @1.5A, 2V 40 @1.5A, 2V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

耗散功率 1 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

封装 TO-5 TO-205 -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bag Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 -