对比图
描述 t-Npn Si- Hiv Sw整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors4安培NPN硅功率晶体管400伏 - 75瓦 4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 分立器件双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 - TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - - 3
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 400 V
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @5A, 4V 8 @2A, 5V
额定功率(Max) - 80 W 2 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 65 ℃ -65 ℃
频率 - - 4 MHz
额定电压(DC) - - 400 V
额定电流 - - 4.00 A
极性 - - NPN
耗散功率 - - 2 W
热阻 - - 1.67℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 - - 4A
耗散功率(Max) - - 75000 mW
封装 - TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 - Bulk Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99