BSP100和FDT459N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP100 FDT459N IRLMS1503TR

描述 N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP SemiconductorsPowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。TSOP N-CH 30V 3.2A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-23-6

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 6.50 A -

漏源极电阻 80 mΩ 0.031 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 8.3 W 3 W 1.7W (Ta)

阈值电压 2 V 1.6 V -

输入电容 - 365 pF -

栅电荷 - 12.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.50 A 3.2A

上升时间 - 8.2 ns -

输入电容(Ciss) 250pF @20V(Vds) 365pF @15V(Vds) 210pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.1 W -

下降时间 - 16 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 8.3 W 3W (Ta) 1.7W (Ta)

针脚数 3 - -

长度 6.7 mm 6.7 mm -

宽度 3.7 mm 3.7 mm -

高度 1.7 mm 1.7 mm -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-23-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -

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