MPSA20和MPSA20G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSA20 MPSA20G

描述 t-Npn Si- Darl Preamp ; Rohs Compliant: Yes放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistor NPN Silicon

数据手册 --

制造商 NTE Electronics ON Semiconductor (安森美)

分类 分立器件双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 - TO-92-3

频率 - 125 MHz

额定电压(DC) - 40.0 V

额定电流 - 100 mA

极性 - N-Channel

耗散功率 - 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V

热阻 - 83.3℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 625 mW

耗散功率(Max) - 625 mW

封装 - TO-92-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司