ICTE-12和SA100HE3/54

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE-12 SA100HE3/54 1N6376RL4G

描述 Trans Voltage Suppressor Diode,ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SA100AHE3/731500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors

数据手册 ---

制造商 Taitron Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 2

封装 - DO-204AC DO-201AD

无卤素状态 - - Halogen Free

击穿电压 - 111 V 14.1 V

电路数 - - 1

钳位电压 - 179 V 16.5 V

最大反向电压(Vrrm) - - 12V

脉冲峰值功率 - 500 W 1500 W

最小反向击穿电压 - 111 V 14.1 V

工作电压 - 100 V -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - - 9.5 mm

封装 - DO-204AC DO-201AD

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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