2N3867S和JAN2N3867

对比图

型号 2N3867S JAN2N3867 JANTX2N3867S

描述 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-39 TO-5 TO-205

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @1.5A, 2V 40 @1.5A, 2V

额定功率(Max) - 1 W 1 W

耗散功率 - 1 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

极性 PNP - -

集电极最大允许电流 3A - -

封装 TO-39 TO-5 TO-205

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bulk Bag Bag

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 - - EAR99