BAV170E6327HTSA1和BAV170E6433HTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAV170E6327HTSA1 BAV170E6433HTMA1

描述 Infineon 二极管 BAV170E6327HTSA1 低泄漏, Io=200mA, Vrev=85V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 70.0 V 80.0 V

电容 2.00 pF 2.00 µF

额定功率 250 mW -

正向电压 1.25V @150mA 1.25V @150mA

耗散功率 250 mW 250 mW

反向恢复时间 1.5 µs 1500 ns

正向电流 200 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 4.5 A 4.5 A

正向电压(Max) 1.25V @150mA 1.25 V

正向电流(Max) 200 mA 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

工作结温 150℃ (Max) 150℃ (Max)

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW

额定电流 - 200 mA

长度 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.9 mm 0.9 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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